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自華光電®陶瓷環形加熱器 myBlossom® Ceramic Heating Rings


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自華®陶瓷環形加熱器 現貨超市
myBlossom® Ceramic Heating Rings

自華光電®代理歐洲最大標準陶瓷加熱器現貨超市

陶瓷環形加熱器 Ceramic Heating Rings
由氮化矽製成的陶瓷加熱環可以製造成外徑高達300mm。 戒指的典型範圍是5毫米。 陶瓷材料的良好導熱性和低熱質量使得加熱速率非常快,溫度分佈均勻,控制精度高。 熱壓氮化矽的高強度保證了高應力耐受性和短時間加工時的優異耐磨性。 我們提供的加熱環可以在高達500°C的溫度下在露天作業。 通過開發特定的技術解決方案可以達到更高的溫度(如果需要)。


陶瓷環形加熱器 客製化設計 Customized design
我們的內部設計使得尺寸(內徑和外徑)或性能的任何改變都變得簡單和方便。 可以在設計中添加用於溫度調節的安裝支架孔和開口。 我們的加熱環已經是平坦的地面,然而它們可以進一步研磨到<10μm的平面度以滿足特定的要求。 也可以形成各種形狀的待加工產品或工具的輪廓。

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自華光電 - 德國BACH陶瓷環形加熱器/陶瓷加熱器 台灣獨家代理商。
Allen K. Lin | Allen@myblossom.tw | LINE ID: Allen-007 | Wechat ID: Allen-006 | T: 0910-782775


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myBlossom® Ceramic Heating Rings


myBlossom® Ceramic Heating Rings

Ceramic Heating rings

Ceramic heating rings made of silicon nitride can be produced with an outer diameter of up to 300 mm. A typical extent of the rings is 5 mm. The good thermal conduction and the low thermal mass of the ceramic material allow extremely fast heating rates, a uniform temperature distribution and high control accuracy. The high strength of hot-pressed silicon nitride guarantees high stress resistance and excellent wear resistance at short processing times. We provide heating rings for operating in the open air at temperatures up to 500 °C. Higher temperatures (if required) could be achieved by developing specific technical solutions.

Customized design
Our in-house designs make any modification in size (inner and outer diameter) or performance simple and convenient. Mounting-bracket holes and openings for temperature regulation can be added to the design. Our heating rings come already flat ground, however they can be ground further up to a flatness of < 10 μm to meet specific requirements. A variety of shapes formed to the contour of the product or tool to be heated are possible as well.

氮化矽 | 維基百科,自由的百科全書


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氮化矽是由矽元素和氮元素構成的化合物。在很寬的溫度範圍內氮化矽都是一種具有一定的熱導率、低熱膨脹係數、彈性模量較高的高強度硬陶瓷。不同於一般的陶瓷,它的斷裂韌性高。這些性質結合起來使它具有優秀的耐熱衝擊性能,能夠在高溫下承受高結構載荷並具備優異的耐磨損性能。常用於需要高耐用性和高溫環境下的用途,諸如氣輪機、汽車引擎零件、軸承和金屬切割加工零件。美國國家航空暨太空總署的太空梭就是用氮化矽製造的主引擎軸承。氮化矽薄膜是矽基半導體常用的絕緣層,由氮化矽製作的懸臂是原子力顯微鏡的傳感部件。

Si3N4是矽的氮化物中化學性質最為穩定的(僅能被稀的HF和熱的H2SO4分解),也是所有矽的氮化物中熱力學最穩定的。所以一般提及「氮化矽」時,其所指的就是Si3N4。它也是矽的氮化物中最重要的化合物商品。

亨利·愛丁·聖克萊爾·德維爾和弗里德里希·維勒在1857年首次報導了氮化矽的合成方法。在他們報導的合成方法中,為減少氧氣的滲入而把另一個盛有矽的坩堝埋於一個裝滿碳的坩堝中加熱。他們報導了一種他們稱之為矽的氮化物的產物,但他們未能弄清它的化學成分。1879年Paul Schuetzenberger通過將矽與襯料(一種可作為坩堝襯裡的糊狀物,由木炭、煤塊或焦炭與粘土混合得到)混合後在高爐中加熱得到的產物,並把它報導為成分是Si3N4的化合物。1910年路德維希·魏斯和特奧多爾·恩格爾哈特在純的氮氣下加熱矽單質得到了Si3N4。1925年Friederich和Sittig利用碳熱還原法在氮氣氣氛下將二氧化矽和碳加熱至1250-1300°C合成氮化矽。

在後來的數十年中直到應用氮化矽的商業用途出現前,氮化矽未受到重視和研究。從1948年至1952年期間,艾奇遜開辦在紐約州尼亞加拉大瀑布附近的金剛砂公司為氮化矽的製造和使用註冊了幾項專利。[6]1958年聯合碳化物公司生產的氮化矽被用於製造熱電偶管、火箭噴嘴和熔化金屬所使用的坩堝。英國對氮化矽的研究工作始於1953年,目的是為了製造燃氣渦輪機的高溫零件。由此使得鍵合氮化矽和熱壓氮化矽得到發展。1971年美國國防部下屬的國防高等研究計劃署與福特和西屋公司簽訂一千七百萬美元的合同研製兩種陶瓷燃氣輪機。